Полупроводниковые силовые модули
Модули питания HIITIO разработаны для эффективного преобразования и управления мощностью, интегрируя технологии IGBT, MOSFET и SiC. Они обеспечивают высокую плотность мощности и низкие потери, широко используются в промышленности, возобновляемой энергетике, электротранспорте и бытовой технике.
Фильтры Сортировать результаты
Сброс Применить
Фото товара | Номер детали | Тип | Упаковка | Схема | Блокирующее напряжение (В) | Ток (А) | RDs(вкл) (мОм) | Tjмакс (℃) | Характеристики |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Карбид кремния СБД | ТО-220-2 | 1200 | 2 | ⋅ | 159 | |||
| Карбид кремния СБД | ТО-220-2 | 650 | 4 | ⋅ | 153 | |||
 | Карбид кремния СБД | DFN8 * 8 | 650 | 6 | ⋅ | 159 | |||
 | Карбид кремния СБД | СОТ-227 | 1200 | 120 | ⋅ | 108 | |||
 | Карбид кремния СБД | ТО-247-3 | 1200 | 16 | ⋅ | 155 | |||
| Карбид кремния СБД | ТО-247-3 | 1200 | 20 | ⋅ | 152 | |||
 | Карбид кремния СБД | ТО-247-2 | 1200 | 20 | ⋅ | 150 | |||
| Карбид кремния СБД | ТО-247-3 | 1200 | 40 | ⋅ | 151 | |||
| Карбид кремния СБД | ТО-247-2 | 1200 | 40 | ⋅ | 155 | |||
| Карбид кремния СБД | ТО-247-2 | 1200 | 60 | ⋅ | 144 | |||
 | IGBT | 34 мм | Половина моста | 1200 | 100 | ⋅ | |||
| IGBT | 34 мм | Половина моста | 1700 | 100 | ⋅ | |||
 | IGBT | Легкий 2Б | FL: 3-х уровневый | 650 | 100 | ⋅ | 150 | ||
 | IGBT | Эконом ПИМ 3H | PIM | 1200 | 100 | ⋅ | |||
 | IGBT | Эконом ПИМ 2H | FT: три фазы | 1200 | 100 | ⋅ | 150 | ||
| IGBT | Эконом ПИМ 2H | FT: три фазы | 1200 | 100 | ⋅ | 150 | ||
| IGBT | Эконом ПИМ 3H | FF: Полный мост | 1700 | 150 | ⋅ | |||
| IGBT | 34 мм | Половина моста | 1200 | 150 | ⋅ | |||
 | IGBT | 62 мм | Половина моста | 1200 | 150 | ⋅ | 175 | ||
| IGBT | Легкий 2Б | FL: 3-х уровневый | 650 | 150 | ⋅ | 150 |
